半導體領域產品第一輯：“光刻級精度”半導體缺陷檢測光學元件相關產品推薦
半導體領域產品第一輯：“光刻級精度”半導體缺陷檢測光學元件相關產品推薦
“深紫外偏振控制+零雜散光環境+納米級定位探測 =為28nm以下晶圓缺陷添助力”
技術背景與行業痛點
半導體制造進入納米級工藝時代，晶圓缺陷檢測面臨三大挑戰：
1）深紫外波段光學噪聲干擾：傳統偏振片在200-400nm波段透光率不足，導致缺陷信號被噪聲掩蓋；
2）真空腔體污染風險：雜散光吸收材料釋氣率超標引發EUV光刻系統穩定性下降；
3）套刻誤差測量精度不足：位置探測器線性度誤差＞0.5%時，28nm以下圖形套刻偏差難以控制。
本方案整合Moxtek、Acktar、On-Trak三家光學元件產品，覆蓋“光路控制-雜散光抑制-定位測量”等方面檢測需求，為28nm以下晶圓缺陷檢測技術提供關鍵光學元件支撐。
核心光學元件技術解析
型號：UVT240A/UVX240A/UVD240A/UCMNATC0
技術突破：
200-400nm波段＞80%透光率：采用納米線柵刻蝕技術，在266nm典型波長下透過率＞80%，消光比＞1000:1；可升級193nm偏振片
250℃耐熱鍍膜：滿足半導體檢測設備高溫工況需求，鍍膜層無熱變形。
應用場景：用于晶圓缺陷檢測設備，可有效提高缺陷檢測尺度；光刻膠曝光，可有效提供曝光分辨率
關鍵性能參數：
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參數項 |
規格 |
備注 |
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工作波長范圍 |
200-400nm |
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入射角 |
0°±20° |
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最大工作溫度 |
250℃ （帶鍍膜） |
可滿足耐高溫的需求 |
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透過率 |
>80% @266nm (典型值) |
后續可提供193nm |
2.Acktar雜散光吸收膜：消除晶圓缺陷檢測設備光路中雜散光
型號：Magic Black/Vacuum Black/Fractal Black/Ultra Black/Metal Velvet
技術突破：
非金屬無機涂層：100%無機物構成，CVCM釋氣率＜0.001%，RML釋氣率＜0.2%；
EUV-VIS-IR全波段吸收：工作波長覆蓋EUV-FIR（極紫外至遠紅外），涂層厚度很薄，完全由非金屬和氧化物構成，不含有機物質，涂層厚度3-25μm可控。
廣泛適用性：氣體釋放量極低，與蝕刻和剝離工藝完全兼容，適用于真空、低溫和潔凈室環境
應用場景：消除晶圓缺陷檢測設備光路中雜散光，可有效提高缺陷檢測尺度
關鍵性能參數：
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Magic Black |
Vacuum Black |
Fractal Black |
Ultra Black |
Metal Velvet |
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工作波長 |
EUV-NIR |
EUV-SWIR |
VIS-FIR |
MWIR-LWIR |
EUV-FIR |
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涂層厚度 |
3-5um |
4-7um |
5-14um |
13-25um |
5-7um |
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工作溫度 |
-269℃ 到 +350℃ |
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極低釋氣 |
CVCM 0.001%, RML 0.2% |
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化學成分 |
100%無機物 |
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型號：PSM2-4/PSM2-10/PSM2-20/PSM2-45
技術突破：
0.1%線性度誤差：采用雙橫向硅探測器結構，PSM2-4型號位置分辨率達100nm；
5nm位置分辨率：PSM2-10G針墊式四橫向鍺探測器在800-1800nm波段實現5μm分辨率。
應用場景：在半導體應用中，位置靈敏探測器因其能夠精確測量光點、粒子束或輻射的位置信息而發揮著關鍵作用，主要應用于需要高精度定位、對準、測量和控制的設備和工藝環節。
關鍵性能參數：
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型號 |
有效區域（mm） |
探測器類型 |
波長范圍 |
典型分辨率 |
典型線性度 |
|
PSM 1-2.5 |
2.5 x 0.6 |
線性硅探測器 |
400-1100 nm |
62.5 nm |
0.1% |
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PSM 1-5 |
5.0 x 1.0 |
線性硅探測器 |
400-1100 nm |
125 nm |
0.1% |
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PSM 2-2 |
2.0 x 2.0 |
雙橫向硅探測器 |
400-1100 nm |
50 nm |
0.3% |
|
PSM 2-4 |
4.0 x 4.0 |
雙橫向硅探測器 |
400-1100 nm |
100 nm |
0.3% |
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PSM 2-10 |
10.0 x 10.0 |
雙橫向硅探測器 |
400-1100 nm |
250 nm |
0.3% |
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PSM 2-10Q |
9.0 x 9.0 |
象限硅探測器 |
400-1100 nm |
100 nm |
不適用 |
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PSM 2-10G |
10.0 x 10.0 |
針墊式四橫向鍺探測器 |
800-1800 nm |
5 um |
— |
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PSM 2-20 |
20.0 x 20.0 |
雙橫向硅探測器 |
400-1100 nm |
500 nm |
0.3% |
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PSM 2-45 |
45.0 x 45.0 |
雙橫向硅探測器 |
400-1100 nm |
1.25 um |
0.3% |
型號：PRO#120/PRO#160/PRO#190
技術突破：
120-320nm定制波長：反射/透射率＞40%，支持EUV光刻機對準系統設計；
緊湊化光路設計：直徑25.4-50.8mm可選，適配不同檢測設備空間需求。
關鍵性能參數
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型號 |
直徑 |
平均反射率 |
平均透過率 |
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UVBS45-1D |
25.4 mm |
40-50% |
40-50% |
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UVBS45-2D |
50.8 mm |
40-50% |
40-50% |
結語：
本方案通過整合國際領先的光學元件，構建了28nm以下晶圓缺陷檢測的“光學基準元件”方案。其核心價值在于突破深紫外波段光學控制、真空環境兼容性、納米級測量三大技術壁壘，為中國半導體制造向14nm、7nm工藝躍遷提供關鍵檢測技術關鍵元件支撐。
讓每一顆芯片的缺陷無所遁形——這是光學技術的極限挑戰，更是中國半導體制造的精度宣言。
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